Numéro
J. Phys. III France
Volume 1, Numéro 7, July 1991
Page(s) 1301 - 1309
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1991190
DOI: 10.1051/jp3:1991190
J. Phys. III France 1 (1991) 1301-1309

DX centers in AlAs and GaAs-AlAs selectively doped superlattices

S. Ababou1, J. J. Marchand1, L. Mayet1, G. Guillot1 and F. Mollot2

1  Laboratoire de Physique de la Matière (UA CNRS 358), INSA de Lyon, 20 Avenue Albert Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France
2  Laboratoire de Microstructures et de Microélectronique, C.N.R.S., 196 Avenue H. Ravera, 92220 Bagneux, France

(Received 30 April 1990, Revised 22 October and 7 February 1991, accepted 19 March 1991)

Abstract
DX centers have been investigated using deep level transient spectroscopy (DLTS) in Si doped AlAs and in selectively doped GaAs-AlAs superlattices (SLs) grown by molecular beam epitaxy. The activation energy for thermal emission is $E_{\rm a} = 0.42$ eV in both the SLs and AlAs layers. For the first time a study of the capture in a SL reveals a capture activation energy $E_{\rm cap} = 0.36$ cV, which locates the DX at $E_{\rm t}\approx 60$ meV below the conduction miniband. Taking into account the measured energies and trap concentrations, we show that the DX observed in the SLs lies in the AlAs layers.

Résumé
Des mesures de spectroscopie capacitives effectuées sur AlAs et sur des super-réseaux (SR) GaAs-AlAs dopés sélectivement et épitaxiés par jets moléculaires montrent que le centre DX a une énergie apparente $E_{\rm a} = 0.42$ eV aussi bien dans AlAs que dans les SR. Pour la première fois, une étude de la capture menée sur un SR nous permet de remonter à l'énergie d'activation de la section efficace de capture qui est dans notre cas de 0.36 eV, ce qui positionne le DX à $E_{\rm t}\approx 60$ meV de la minibande de conduction. La nature et la position de DX sont discutées en tenant compte de l'énergie et de la concentration du DX pour chaque structure, et nous montrons que le DX observé est lié au silicium dans les couches AlAs.



© Les Editions de Physique 1991