Numéro
J. Phys. III France
Volume 1, Numéro 7, July 1991
Page(s) 1289 - 1300
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1991189
DOI: 10.1051/jp3:1991189
J. Phys. III France 1 (1991) 1289-1300

Caractéristiques électriques des barrières métal/AlInAs/GaInAs pour transistors à effet de champ AlInAs/GaInAs/InP

S. Faye, J. P. Praseuth and A. Scavennec

Laboratoire de Bagneux, Centre National d'Etudes des Télécommunications, 196 avenue H. Ravéra, 92220 Bagneux, France

(Reçu le 30 octobre 1990, accepté le 25 mars 1991)

Abstract
In order to extend to GaInAs the Schottky gate technology of GaAs MESFETS, an increase of the metal/GaInAs natural barrier height is mandatory. Inserting a thin AlInAs layer between the metal and GaInAs is a possible answer. In this paper, the electrical properties of such metal/A1InAs/GaInAs structures are investigated, based on the experimental characterization of diodes fabricated from MBE grown material. Analysis of I- V, I- T and C- V characteristics for structures with different thickness (300-900 Å) shows an increase in the effective barrier height with increasing thickness, reaching 0.77 eV for a 900 Å thick layer.

Résumé
Afin d'étendre au GaInAs la technologie de transistors GaAs à grille Schottky une augmentation de la hauteur de barrière métal/GaInAs est nécessaire. L'insertion d'une fine couche en AlInAs en surface du GaInAs permet de répondre à ce besoin. Dans cet article, une analyse des caractéristiques électriques d'une telle structure est effectuée, fondée sur l'étude expérimentale de diodes fabriquées à partir de couches épitaxiées par jets moléculaires. L'analyse des caractéristiques I-V, I-T, C-V pour des épaisseurs variables de la couche en AlInAs (300900 Å) fait apparaître une augmentation de la barrière effective avec l'épaisseur, atteignant 0,77 eV pour 900 Â d'AlInAs.



© Les Editions de Physique 1991