Caractéristiques électriques des barrières métal/AlInAs/GaInAs pour transistors à effet de champ AlInAs/GaInAs/InP

(Reçu le 30 octobre 1990, accepté le 25 mars 1991)

Abstract
In order to extend to GaInAs the Schottky gate technology of GaAs MESFETS, an increase of the metal/GaInAs natural barrier height is mandatory. Inserting a thin AlInAs layer between the metal and GaInAs is a possible answer. In this paper, the electrical properties of such metal/A1InAs/GaInAs structures are investigated, based on the experimental characterization of diodes fabricated from MBE grown material. Analysis of I- V, I- T and C- V characteristics for structures with different thickness (300-900 Å) shows an increase in the effective barrier height with increasing thickness, reaching 0.77 eV for a 900 Å thick layer.

Résumé
Afin d'étendre au GaInAs la technologie de transistors GaAs à grille Schottky une augmentation de la hauteur de barrière métal/GaInAs est nécessaire. L'insertion d'une fine couche en AlInAs en surface du GaInAs permet de répondre à ce besoin. Dans cet article, une analyse des caractéristiques électriques d'une telle structure est effectuée, fondée sur l'étude expérimentale de diodes fabriquées à partir de couches épitaxiées par jets moléculaires. L'analyse des caractéristiques I-V, I-T, C-V pour des épaisseurs variables de la couche en AlInAs (300900 Å) fait apparaître une augmentation de la barrière effective avec l'épaisseur, atteignant 0,77 eV pour 900 Â d'AlInAs.