Modelisation des composants a betérostructures AlGaAs/GaAs MIS-Like-FET et DMt par la methode Monte Carlo

(Reçu le 30 avril 1990, révisé le 23 juillet 1990, accepté le 27 août 1990)

Abstract
A1GaAs/GaAs MIS-Like-FET has been simulated using a two dimensional ensemble Monte Carlo model, accounting for gate current. The physical phenomena involved in the selfaligned device's behaviour are discussed. Electrical characteristics have been calculated and for high , a negative differential conductance has been found, the magnitude of which is very dependent on source-gate spacing and gate resistance. The low value of drain current obtained for moderate gate bias is a major drawback for power application. This limitation can be overcome using a doped GaAs channel that leads to a new device called " DMT ". A DMT structure has also been simulated and drain current has been found much higher than in conventional MISLike-FET.

Résumé
Nous présentons dans ce travail des résultats obtenus par une modélisation Monte Carlo bidimensionnelle du MIS-Like-FET AlGaAs/GaAs intrinsèque qui tient compte du courant grille. Nous décrivons les phénomènes physiques (champ, énergie moyenne) intervenant dans le fonctionnement du MIS-Like-FET autoaligné à faibles et fortes tensions de grille positives. Une conductance différentielle négative apparwit à fortes tensions de grille et son amplitude est sensible à divers paramètres technologiques. En particulier, elle diminue lorsqu'on augmente là distance source-grille et la résistance de métallisation de grille R_g. Le MIS-Like-FET polarisé à des tensions de grille modérées présente un courant drain trop faible pour son application en puissance, nous proposons aussi des résultats obtenus en simulant le MIS-Like-FET à canal dopé (DMT) et nous remarquons que le courant drain est fortement augmenté.