Etude experimentale du -bruit de diffusion dans les MISFETS GaAs-AlGaAs

(Reçu le 30 avril 1990, accepté le 27 août 1990)

Abstract
In this paper, we deal with diffusion noise in two-dimensional electron layers in heterojunction FETS, such as GaAs-AIGaAs MISFETS. Measurements of equivalent noise temperatures of source to drain channel are performed in function of gate and drain voltages. Voltage noise spectra are also deduced. Similar measurements on TEGFETs are made in view of comparison. In the case of MISFETS, we look at a possible noise source due to real-space transfer of two-dimensional electrons, An observation that we describe in detail could be the result of this transfer phenomenon but is difficult to carry out experimentaly.

Résumé
Dans cet article, nous étudions le bruit de diffusion du canal bidimensionnel d'électrons dans les transistors à effet de champ à hétérojonction de type MISFET GaAsAlGaAs. On mesure en fonction des tensions grille et drain les températures équivalentes de bruit du canal source-drain ainsi que les spectres de bruit en tension. Des mesures analogues réalisées sur des TEGFETs servent de point de comparaison. Ici, dans le cas du MISFET, nous essayons de voir l'existence possible de l'effet de transfert en espace réel d'électrons bidimensionnels sur le bruit de diffusion mesuré. Un effet que nous décrivons pourrait résulter de ce phénomène, mais sa mise en évidence expérimentale est difficile.