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J. Phys. III France
Volume 2, Number 3, March 1992
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Page(s) | 295 - 302 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1992128 |
J. Phys. III France 2 (1992) 295-302
Dislocations as sinks for self-interstitials in gold doped silicon
B. Pichaud and G. MarianiLaboratoire de Physique Cristalline, Faculté des Sciences et Techniques de Saint-Jérôme, case 151 Avenue Escadrille Normandie-Niemen, 13397 Marseille Cedex 13, France
(Received 21 June 1991, revised and accepted 3 December 1991)
Abstract
The concentration of substitutional atoms
, transformed by the kick-out mechanism as gold diffusion proceeds in silicon, was measured as a function of
, the density of dislocations introduced by a well-controlled deformation procedure. Two domains
cm
-2 and
cm
-2 in which
was found to be independent of
and an intermediate domain in which
varied as
were observed in agreement with the theory.



Résumé
La quantité d'atomes d'or substitutionnels
transformés au cours de la réaction de "kick-out" a été mesurée en fonction de
la densité de dislocations introduites de façon contrôlée dans le silicium FZ. On obtient deux domaines
cm
-2 et
cm
-2 où
ne dépend pas de la densité de dislocations et un domaine intermédiaire où
varie suivant une loi en
conformément à la théorie.


© Les Editions de Physique 1992