Observation du début de la croissance du GaAs/InP par OMCVD

(Reçu le 21 juin 1991, révisé le 22 novembre 1991, accepté le 25 novembre 1991)

Abstract
The fist step growth of MOCVD GaAs/ImP is studied using Transmission Electron Microscopy. We show that a complete coverage occurs for layers as thin as 65 Å, grown at 450 °C. When the thickness increases and after a 700 °C annealing during 5 mn, the layers are more relaxed and the planar defects density decreases clearly, but unfortunatly thick epilayers (550 Å) are less smooth than thinner ones. So, the optimum epilayer thickness realising the compromise between complete surface substrate coverage, defect density and surface roughness was found to be in the order of 150 Å.

Résumé
A partir d'observations directes par microscopie électronique en transmission de la première étape de la croissance de GaAs sur des substrats (001) d'InP par OMCVD, nous montrons qu'une couverture totale du substrat a lieu pour des couches de 65 Å d'épaisseur, déposées à 450 °C. Lorsque l'épaisseur de la précouche augmente (de 65 à 550 Å) et après un recuit de 5 mn à 700 °C, la couche se relaxe de plus en plus et la densité des défauts plans diminue ; en revanche, la rugosité de la surface augmente parallèlement. Une précouche d'épaisseur de l'ordre de 150 Å semble être la mieux adaptée pour réaliser le compromis entre la couverture du substrat, une faible densité de défauts et une bonne morphologie de la surface.