Hydrogenation of GaAs covered by GaAlAs and subgrain boundary passivation

A. Djemel; J. Castaing; J. Chevallier; P. Henoc

doi:doi:10.1051/jp3:1992247

Issue		J. Phys. III France Volume 2, Number 12, December 1992


Page(s)		2301 - 2307
DOI		https://doi.org/10.1051/jp3:1992247

DOI: 10.1051/jp3:1992247
J. Phys. III France 2 (1992) 2301-2307

Hydrogenation of GaAs covered by GaAlAs and subgrain boundary passivation

A. Djemel¹, J. Castaing¹, J. Chevallier² and P. Henoc³

¹ Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S. Bellevue, 92195 Meudon Cedex, France
² Laboratoire de Physique des Solides de Bellevue, France
³ PMM/MPD, C.N.E.T., 196 avenue Henri Ravera, 92220 Bagneux, France

(Received 21 April 1992, accepted 12 August 1992)

Abstract
Cathodoluminescence (CL) has been performed to study the influence of hydrogen on electronic properties of GaAs with and without a GaAlAs layer. Recombination at sub-boundaries has been examined. These extended defects have been introduced by high temperature plastic deformation. The results show that they are passivated by hydrogen. The penetration of hydrogen is slowed down by the GaAlAs layer.

Résumé
La cathodoluminescence (CL) a été utilisée pour étudier l'influence de l'hydrogène sur les propriétés électroniques de GaAs nu et recouvert d'une couche de GaAlAs. Le caractère recombinant des sous-joints de grains a été examiné. Ces défauts étendus ont été introduits par déformation plastique à chaud. Les résultats montrent que l'hydrogène passive ces défauts. La pénétration de l'hydrogène à l'intérieur de GaAs est retardée par la présence de la couche de GaAlAs.