Issue |
J. Phys. III France
Volume 3, Number 4, April 1993
|
|
---|---|---|
Page(s) | 677 - 688 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993156 |
J. Phys. III France 3 (1993) 677-688
Appareil permettant la caractérisation thermique de substrats et matériaux à forte conductibilité pour micro-électronique
Pierre Paris, Jean-Marie Haussonne and Jean LostecFrance Telecom CNET, Centre Lannion B, B.P. 40, 22301 Lannion Cedex, France
(Reçu le 25 mai 1992, accepté le 20 août 1992)
Abstract
The thermal characterization of aluminum nitride AIN substrates is an important
task for microelectronics. The usual method, so called "laser-flash", can hardly
been used for substrates, as it needs samples with a thickness higher than 3 mm.
This method has been recently modified, but involves a heavy equipment to be used.
We have developed in C.N.E.T. Lannion a method on the principle of the measurement
of the thermal flux through a sample placed in a known thermal gradient. This method
was first developed to characterize low thermal conductivity samples. We then adapted
it to the new problem related to the characterization of high thermal conductivity
substrates as AIN ones, the thermal conductivity of which being as high as 200 W/m.K.
The apparatus we developed, that is now commercially available, allows to measure
directly in some minutes the thermal conductivity of samples with an accuracy of 10%
in a range values of 10 to 400 W/m.K.
Résumé
La caractérisation thermique des substrats en nitrure d'aluminium AIN est un problème
actuel en micro-électronique. La méthode classique dite du "flash-laser", est mal
adaptée à ce type de matériau, car nécessitant des échantillons d'épaisseur supérieure
à 3 mm. Cette méthode a été nouvellement adaptée mais au prix d'un investissement
relativement lourd. Nous avons développé au C.N.E.T. Lannion une méthode de
caractérisation basée sur le principe de la mesure du flux thermique traversant
un échantillon soumis à un gradient thermique connu. Originellement conçue pour
la caractérisation de substrats de faible conductivité, cette méthode a été adaptée
au problème posé par l'apparition de substrats tel le nitrure d'aluminium AIN de
conductivité thermique pouvant être supérieure à 200 W/m.K. L'appareil mis au point,
maintenant commercialisé, permet la détermination directe de la conductibilité
thermique en quelques minutes avec une précision de l'ordre de 10 % pour une gamme
de valeur de 10 à 400 W/m.K.
© Les Editions de Physique 1993