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J. Phys. III France
Volume 3, Number 7, July 1993
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| Page(s) | 1313 - 1325 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993201 | |
J. Phys. III France 3 (1993) 1313-1325
Index gratings stabilized by deep centres for fast optical addressing
N. Gouaichault-Brugel, M. Pugnet and J. H. ColletLaboratoire de Physique des Solides associé au C.N.R.S., U.P.S./I.N.S.A., Avenue de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex, France
(Received 3 December 1992, revised 20 April 1993, accepted 30 April 1993)
Abstract
We study the subnanosecond optical addressing capabilities of semiconductors
based on the diffraction properties of plasma index gratings. This paper reports
new results on GaAs: Cr semi-insulating samples. The diffraction efficiency
of the refractive index grating remains constant (
)
in the nanosecond time scale. The grating erasure is however possible
using an uniform picosecond illumination : a 80 % decrease of the diffraction
efficiency is achieved in our experiments. We show that the best model to explain
our experimental results is based on the plasma density modulation stabilized by
charged deep centres via the electrostatic screening effect.
Résumé
Nous envisageons l'utilisation des semiconducteurs pour la réalisation
de nouveaux dispositifs d'adressage optique rapide (régime subnanoseconde)
utilisant les propriétés de diffraction des réseaux d'indice de réfraction.
De nouveaux résultats sur des échantillons de GaAs : Cr sont présentés ;
l'efficacité de diffraction du réseau reste constante à l'échelle de la
nanoseconde (
) et il est possible d'effacer
ce réseau en l'éclairant de façon uniforme. Dans ces conditions, une chute
de 80 % de l'efficacité de diffraction est obtenue sur nos échantillons.
Le modèle proposé est basé sur une modulation de densité de plasma stabilisée
par les centres profonds.
© Les Editions de Physique 1993