Numéro
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 7, July 1993
Page(s) 1313 - 1325
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1993201
DOI: 10.1051/jp3:1993201
J. Phys. III France 3 (1993) 1313-1325

Index gratings stabilized by deep centres for fast optical addressing

N. Gouaichault-Brugel, M. Pugnet and J. H. Collet

Laboratoire de Physique des Solides associé au C.N.R.S., U.P.S./I.N.S.A., Avenue de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex, France

(Received 3 December 1992, revised 20 April 1993, accepted 30 April 1993)

Abstract
We study the subnanosecond optical addressing capabilities of semiconductors based on the diffraction properties of plasma index gratings. This paper reports new results on GaAs: Cr semi-insulating samples. The diffraction efficiency of the refractive index grating remains constant ( $\eta = 5 \times 10^{-4}$) in the nanosecond time scale. The grating erasure is however possible using an uniform picosecond illumination : a 80 % decrease of the diffraction efficiency is achieved in our experiments. We show that the best model to explain our experimental results is based on the plasma density modulation stabilized by charged deep centres via the electrostatic screening effect.

Résumé
Nous envisageons l'utilisation des semiconducteurs pour la réalisation de nouveaux dispositifs d'adressage optique rapide (régime subnanoseconde) utilisant les propriétés de diffraction des réseaux d'indice de réfraction. De nouveaux résultats sur des échantillons de GaAs : Cr sont présentés ; l'efficacité de diffraction du réseau reste constante à l'échelle de la nanoseconde ( $\eta = 5 \times 10^{-4}$) et il est possible d'effacer ce réseau en l'éclairant de façon uniforme. Dans ces conditions, une chute de 80 % de l'efficacité de diffraction est obtenue sur nos échantillons. Le modèle proposé est basé sur une modulation de densité de plasma stabilisée par les centres profonds.



© Les Editions de Physique 1993