Characterization of Ga In Sb thin layers grown on GaAs substrate by infrared reflectivity

(Received 10 November 1992, revised 31 March 1993, accepted 20 April 1993)

Abstract
Infrared reflectivity measurement are made on Ga _0.70In _0.30Sb thin layers grown on semi-insulating GaAs substrate with free-carrier density varying from 10 ¹⁷ cm ^-3 to 10 ¹⁸ cm ^-3. Electrical and optical parameters of the layers are determined simultaneously by fitting appropriate theoretical model with experimental data. Densities and mobilities obtained are of the order of the ones given by Hall measurements and optical parameters are in good agreement with those given in the literature.

Résumé
Des mesures de réflectivité infra-rouge sont faites sur des couches de Ga _0,70In _0,30Sb épitaxiées sur substrat de GaAs semi-isolant avec une densité de porteurs allant de 10 ¹⁷ cm ^-3 à 10 ¹⁸ cm ^-3. Les paramètres électriques et optiques de la couche sont déterminés simultanément en ajustant les données expérimentales par le modèle théorique approprié. Les densités et mobilités obtenues sont comparables à celles données par les mesures d'effet Hall, et les paramètres optiques sont en bon accord avec les valeurs données dans la littérature.