Issue |
J. Phys. III France
Volume 4, Number 3, March 1994
|
|
---|---|---|
Page(s) | 473 - 491 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1994140 |
J. Phys. III France 4 (1994) 473-491
Caractérisations structurale et morphologique des couches minces de CuInS 2 et d'In-S "airless spray"
N. Kamoun1, S. Belgacem1, M. Amlouk1, R. Bennaceur1, K. Abdelmoula2 and A. Belhadj Amara31 L.P.M.C., Faculté des Sciences de Tunis, 1060 le Belvédère, Tunisie
2 L.M.E., Faculté des Sciences de Tunis, 1060 le Belvédère, Tunisie
3 Faculté des Sciences de Bizerte, Tunisie
(Reçu le 29 juin 1993, révisé le 30 novembre 1993, accepté le 7 décembre 1993)
Abstract
We have prepared CuInS
2 thin layers by airless spray "S.P.A." in
order to use them as an absorber in a photovoltaic cell. The X-ray
diffraction analysis has showed that these layers are well crystallized
with a privileged (112) principal orientation for a ratio of the
concentrations in the pulverized solution
. After heat treatment
under vacuum the crystallization have been clearly improved.
The structural analysis of the thin CuInS
2 layers have revealed
that a secondary phases of In
2S
3 and In
6S
7 are present.
Thus we have realized by the same technique thin In-S layers whose
structural and morphological properties have been studied. This
analysis has showed that the In-S layers are well crystallized for
a ratio
in the spray
solution. The In-S layers are essentially formed by a
-In
2S
3
material. Although the In
6S
7 phase appears to the detriment of
-In
2S
3 phase for
y= 0.75.
Résumé
Nous avons préparé des couches minces de CuInS
2,
par pulvérisation chimique réactive sans air "P.S.A.",
en vue de leur utilisation en tant qu'absorbeur dans un
dispositif photovoltaïque. L'analyse par diffraction X a montré
que ces couches sont bien cristallisées et que l'orientation
principale (112) est privilégiée pour un rapport de concentrations
dans la solution à pulvériser.
Après le traitement thermique sous vide la cristallisation est nettement
améliorée. L'analyse structurale des couches minces de CuInS
2 a révélé
que ces couches renferment des phases secondaires d'In
2S
3 et
d'In
6S
7. Ainsi nous avons réalisé par la même technique "P.S.A.",
des couches minces d'In-S dont nous avons étudié les propriétés
structurales et morphologiques, Cette analyse a montré que les couches
d'In-S sont bien cristallisées. Pour un rapport de concentrations en
solution de pulvérisation
les couches d'In-S sont surtout formées du matériau
-In
2S
3.
Alors que la phase In
6S
7 apparaît au détriment de la phase
-In
2S
3 pour
y= 0,75.
© Les Editions de Physique 1994