Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance

B. Beydoun; H. Tranduc; F. Oms; A. Peyre Lavigne; P. Rossel

doi:doi:10.1051/jp3:1994249

Issue		J. Phys. III France Volume 4, Number 10, October 1994


Page(s)		1939 - 1955
DOI		https://doi.org/10.1051/jp3:1994249

DOI: 10.1051/jp3:1994249
J. Phys. III France 4 (1994) 1939-1955

Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance

B. Beydoun¹, H. Tranduc¹, F. Oms¹, A. Peyre Lavigne² and P. Rossel¹

¹ Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes, CNRS, 7 Av. du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
² Motorola Semiconducteurs, le Mirail, B.P. 1029, 31023 Toulouse Cedex, France

(Reçu le 2 mars 1993, révisé le 30 mai 1994, accepté le 15 juin 1994)

Abstract
In this paper, a design method for Power MOSFET devices, based on the physical phenomena and electrical properties of the structure, is presented. This method is implemented in a software called Power MOSFET's Designer, which only needs three inputs : the layout (cells, design rules, chip area), the breakdown voltage and the technological family characteristics, to define the SPICE equivalent circuit of the transistor. It is well suited to the simulation of power electronics circuits. Application examples are given.

Résumé
Cette communication présente une approche de conception de transistor MOS de puissance basée sur les propriétés physiques et électriques du dispositif. On propose à partir i) de la géométrie (dimensionnement des cellules, règles de dessin, taille de puce), ii) de la tenue en tension et iii) du processus technologique, de déterminer a priori les performances électriques du composant. Cette approche passe par la topologie d'un schéma équivalent éprouvé et aboutit à des caractéristiques électriques statiques et en commutation dans des circuits typiques de l'électronique de puissance. Des exemples d'application sont proposés.