Etude comportementale de la commutation d'un transistor MOSFET de puissance

(Reçu le 28 février 1994, révisé le 12 juillet 1994, accepté le 13 septembre 1994)

Abstract
In this paper, after a review of different works carried on power MOSFET modeling, an interesting approach is presented. This approach is based on the measurements of MOSFET external currents and voltages in a specified switching cell. Different phases are recognized during turn-on and turn-off and related systems of equations are defined to represent the MOSFET behavior. This model needs few parameters, which can be easily determined. Besides, a sensibility study is carried out, in order to determine the model limitations. This study allows furthermore a good understanding of different factors affecting the switching.

Résumé
Le but de ce travail est de présenter une modélisation comportementale d'un MOSFET de puissance en commutation. Après avoir cité les différents travaux effectués dans ce domaine, une approche intéressante du point de vue de l'utilisateur est présentée. Cette approche est basée sur la mesure des grandeurs externes du MOSFET (tensions et courants) dans une cellule de commutation donnée. Diverses phases sont extraites pendant l'ouverture et la fermeture, et les équations électriques relatives à chacune d'entre elles sont données. Le modèle présenté nécessite peu de paramètres ; ceux-ci peuvent de plus être facilement obtenus. Enfin, une étude de sensibilité est menée sur ce modèle, afin de déterminer ses limites de validité. Celle-ci permet en outre une meilleure connaissance des paramètres influant sur la commutation.