An Overview of Buried Oxides on Silicon: New Processes and Radiation Effects

(Received 23 April 1996, accepted 6 Septembre 1996)

Abstract
This paper presents a review of the main properties of the two types of buried oxides that currently dominate the Silicon-On-Insulator (SOI) technologies: SIMOX (Separation by IMplantation of OXygen) and BESOI (Bond and Etch-Back SOI) materials. After examining the main advantages of SOI structure for radiation-hardened electronics, we present different advanced technological processes of such buried oxides and review their physical characteristics as well as their charge trapping properties under ionizing radiations.

Résumé
Cet article présente une revue des principales propriétés des deux types d'oxyde enterrés qui dominent actuellement les technologies Silicium-sur-Isolant (Silicon-On-Insulator, SOI) de la microélectronique : le matériau SIMOX (Separation by IMplantation of OXygen) et le matériau BESOI (Bond and Etch-Back SOI). Après avoir rappelé les principaux avantages d'une architecture Silicium-sur-Isolant pour une électronique dédiée aux environnements radiatifs, nous présentons les différents procédés de fabrication actuels de ces couches d'oxyde enterrées et passons en revue leurs caractéristiques physiques ainsi que leurs propriétés de piégeage de charge sous rayonnement ionisant.