Theoretical approaches of semiconductor interfaces and of their defects : recent developments

(Received 30 April 1990, accepted 11 July 1990)

Abstract
We describe recent developments of theoretical studies concerning semiconductor interfaces from different points of view: the widely used effective mass approximation and its limitations are considered ; different ways to calculate band offsets are described and compared; the interesting problem of the effect of strains is discussed; several interface defects that have been recently studied are also considered.

Résumé
Nous donnons ici une revue des diverses études théoriques sur les interfaces de semiconducteurs et leurs défauts. Divers aspects sont considérés: d'une part le problème délicat de l'approximation de la masse effective (utilisée très fréquemment) et de ses limitations ; d'autre part nous passons en revue les différentes approches possibles pour le calcul des discontinuités de bandes à l'hétérojonction ; une attention particulière est accordée aux modifications apportées par la présence d'une contrainte biaxiale (due à un désaccord de maille); enfin divers défauts localisés à l'interface, qui ont fait l'objet d'études récentes, sont pris en compte.