Conception et évaluation des performances dynamiques d'un transistor bipolaire hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAlAs/GaAs

(Reçu le 23 décembre 1991, accepté le 21 mars 1992)

Abstract
In this paper, form the specifications of GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) for high frequency power applications, the technology and topology parameters of the required structue are found. From HBT electric model deduced from physical mechanisms which control the device performances, a study ofg the dynamic performances sensitivity to the parasitic elemetns and technological solutions are presented.

Résumé
Dans cet article, à partir du cahier des charges d'un transistor bipolaire hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAlAs/GaAs fixé par les applications visés, nous avons dégagé les paramètres technologiques et topologiques de la structure envisagée. A partir du modèle électrique du TBH déduit des mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement de ce dispositif, nous présentons une étude de la sensiblité des performances dynamiques aux différents éléments parasites et les solutions technologiques qui en découlent sont proposées.