Numéro
J. Phys. III France
Volume 2, Numéro 8, August 1992
Page(s) 1509 - 1526
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1992196
DOI: 10.1051/jp3:1992196
J. Phys. III France 2 (1992) 1509-1526

Génération d'ondes acoustiques dans le silicium par faisceau d'électrons ou laser modulé

D. Marty-Dessus1, M. Ez Zejjari1, N. Boughanmi1, 2, J. Boucher2 and J. L. Franceschi1, 2

1  CEMES-LOE, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse Cedex, France
2  Institut National Polytechnique, ENSEEIHT, 2 rue Camichel, 31071 Toulouse Cedex, France

(Reçu le 7 novembre 1991, révisé le 9 mars 1992, accepté le 30 mars 1992)

Abstract
An imaging system placed on a bulk specimen is proposed. A modulated electron or laser beam acts as an acoustic waves source in a bulk specimen. In silicon, the creation of a thermal gradient and an excess carrier population is at the origin of elastic waves generation. We propose here a modelisation of these two phenomena in order to emphasize their relative importance on the total acoustic signal and the influence of the semiconductor general characteristics as carrier lifetimes or electronic diffusivity. We point out the utility of this method for the detection of subsurface defects in silicon.

Résumé
Une méthode d'imagerie sur objets massifs est proposée. l'impact d'un faisceau modulé d'électrons ou laser génère des ondes acoustiques dans un solide. Dans le silicium, la création d'un gradient thermique et d'une population de porteurs en excès est à l'origine de l'apparition d'ondes élastiques. Nous proposons une modélisation de ces deux phénomènes pour dégager leur importance relative sur le signal acoustique total et analyser l'influence des caractéristiques générales du semiconducteur (durée de vie des porteurs, vitesse de diffusion électronique...). Nous mettons en évidence l'intérêt d'une telle méthode pour la détection des défauts en subsurface dans le silicium.



© Les Editions de Physique 1992