Détermination des contraintes résiduelles par diffraction des rayons X dans une couche mince de 1 000 Å de tungstène

(Reçu le 16 janvier 1992, accepté le 22 mai 1992)

Abstract
In this study, we have determined the complete residual stress by X-rays diffraction, using the method, in a 1 000 Å tungsten thin film deposited on a silicon monocrystal. Stresses are tension wise of big magnitude (1.5 GPa). They are almost isotropic in the film plane. Shear stresses are low but not negligeable. After a bombardment by a 320 keV Xe ⁺⁺ ion beam, the stresses became compressive (about -1.3 GPa). These results demonstrate the feasability of stress determination by the method in films as thin as 1 000 Å and open interesting areas for futur research.

Résumé
Dans cette étude, nous avons déterminé le tenseur complet des contraintes résiduelles par diffraction des rayons X, selon la méthode des , sur une couche de 1 000 Å de tungstène déposé sur un monocristal de silicium. Les contraintes sont de traction et d'une grande intensité (1,5 GPa). Elles sont presque isotropes dan le plan de la couche. Les cisaillements sont faibles, mais non négligeables. Après bombardement ionique avec un faisceau de Xe ⁺⁺ de 320 keV, les contraintes sont devenues de compression de l'ordre de -1,3 GPa. Ces résultats démontrent la faisabilité de la détermination des contraintes par la méthode des dans des couches aussi minces que 1 000 Å et ouvrent des perspectives intéressantes de recherche.