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J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 7, July 1993
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| Page(s) | 1489 - 1495 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993213 | |
J. Phys. III France 3 (1993) 1489-1495
Mesure du coewicient d'absorption optique dans le silicium multicristallin de type P pour photopiles solaires
J. GervaisLaboratoire de Photoélectricité des semi-conducteurs, Case 231, Faculté des Sciences et Techniques de Marseille-St-Jérôme, 13397 Marseille Cedex 20, France
(Reçu le 6 octobre 1992, révisé le 16 décembre 1992, accepté le 14 avril 1993)
Abstract
The minority carrier diffusion length
L characterizes the electrical
quality of multicrystalline silicon wafers used for photovoltaics.
Its determination before and after different treatments (impurity diffusion,
passivation, metallisation) is needfull and requires the accurate knowledge
of the optical absorption coefficient
in the near infrared. We have determinated
the spectral variation of
in the range between 0.86 and 1.06
m
and we propose an analytic expression which is very close to those proposed for
solar grade single crystals. In addition we have verified that the values of
are not affected by long phosphorus diffusion needed to getter metallic impurities.
Résumé
La longueur de diffusion des porteurs minoritaires
L caractérise la qualité
du silicium multicristallin utilisé pour la conversion photovoltaïque.
Sa détermination avant et après les divers traitements (diffusion d'impuretés,
passivation des défauts, métallisation) est indispensable et nécessite la
connaissance précise du coefficient d'absorption optique
dans le
proche infrarouge. Nous avons déterminé expérimentalement la variation spectrale
de
entre 0,86 et 1,06
m et nous proposons un développement qui est très
proche de ceux trouvés dans des monocristaux de silicium de qualité solaire.
La variation de
n'est pas influencée par des diffusions de phosphore
prolongées nécessaires à l'extraction et au piégeage d'impuretés métalliques.
© Les Editions de Physique 1993