DOI: 10.1051/jp3:1994172
J. Phys. III France 4 (1994) 881-897

Ordre local dans les oxynitrures de silicium étudié par spectroscopie de photoélectrons XPS

R. Saoudi¹, G. Hollinger² and A. Straboni<sup>3

1</sup>  Laboratoire Traitement du Signal et Instrumentation, URA CNRS 842, 23 rue du Dr. P. Michelon, 42023 Saint-Etienne Cedex 2, France
²  Laboratoire d'Electronique, URA CNRS 848, Ecole Centrale de Lyon, B.P. 163, 69131 Ecully Cedex, France
³  Centre National d'Etudes des Télécommunications, CNET Grenoble, Chemin du Vieux Chêne, B.P. 98, 38243 Meylan Cedex, France

(Reçu le 7 juillet 1993, révisé le 11 janvier 1994, accepté le 25 janvier 1994)

Abstract
X-ray photoelectron spectroscopy has been used to study core level and valence band spectra of reference compounds SiO ₂, Si ₂N ₂O, Si ₃N ₄, and thin oxinitride films SiO _xN _y obtained by nitridation of SiO ₂ films in an ammonia plasma. The results obtained for the reference compounds are discussed with respect to their crystallographic properties. These data are used for discussing local order and chemical composition of oxinitride films.

Résumé
La spectroscopie XPS a été utilisée pour mesurer les spectres des niveaux de coeur et des bandes de valence des composés définis SiO ₂, Si ₂N ₂O et Si ₃N ₄ et de films minces d'oxynitrures SiO _xN _y formés par nitruration de films de SiO ₂ dans un plasma d'ammoniac. Les résultats obtenus sur les composés définis sont discutés sur la base de leurs propriétés cristallographiques. Ces données ont été ensuite mises à profit pour discuter l'ordre local et la composition chimique de couches d'oxynitrures.

© Les Editions de Physique 1994