Determination of PHEMT's Microwave Noise Parameters Only by Means of the Small-Signal Equivalent Circuit and Experimental Comparisons

(Received 8 July 1994, accepted 3 November 1994)

Abstract
The purpose of this paper is to develop an analytical method in order to model the noise parameters of pseudomorphic HEMT's. The principal interest of this method is that it does not need adjustable parameters and it only needs the knowledge of the components of the small signal equivalent circuit. It takes into account all the thermal noise sources associated to the resistors and the noise of the channel is described by a noise current source with a spectral density . The theoretical results are compared to our measurements but also to other measurement technique involving a part of modelization (Dambrine [7]). We show that the agreement is excellent for the four noise parameters as well versus the frequency as versus the bias.

Résumé
Le but de cet article est de donner une méthode analytique de modélisation des paramètres de bruit de transistors à effet de champ et plus particulièrement de HEMT pseudomorphiques. L'originalité de cette méthode tient dans le fait qu'elle ne comprend pas de paramètres ajustables et qu'elle ne nécessite que la connaissance des éléments du schéma équivalent petit signal. Elle prend en compte toutes les sources de bruit thermique associées aux résistances, le bruit du canal étant décrit par un générateur de courant de bruit de densité spectrale . Les résultats théoriques sont comparés à nos mesures mais aussi a une autre technique de mesure faisant intervenir une part de modélisation (Dambrine [7]). Nous montrons que l'accord est excellent pour les quatre paramètres de bruit aussi bien en fonction de la fréquence qu'en fonction de la polarisation.