Photodiode de type Métal-Semiconducteur-Métal (MSM) sur substrat d'InP

(Reçu le 5 mars 1995, accepté le 25 avril 1996)

Abstract
AlInAs/GaInAs/InP Metal-Semiconductor-Metal photodiodes are presently receiving much attention for large-bandwidth, low-noise photoreceivers. In this paper specific features of InP-based MSM devices are given, in particular the grading layers allowing an efficient carrier collection. After describing the fabrication process, the specific characteristics of GaInAs MSMs are analyzed from their experimental behaviour. In particular we discuss the very low dark current, the responsivity only limited by the metal electrodes reflection, the wide bandwidth associated with the transit time of carriers.

Résumé
Les photodiodes Métal-Semiconducteur-Métal en GaInAs sur substrat d'InP connaissent actuellement un grand intérêt pour la photodétection à large bande et faible bruit. Dans cet article les spécificités des composants sur substrat d'InP sont rappelées, en particulier avec les structures faisant appel à des couches de composition graduelle favorisant la collection des porteurs. Après la description du procédé de fabrication, l'analyse des caractéristiques de fonctionnement permet de préciser quelques propriétés particulières obtenues : très faible courant d'obscurité, sensibilité limitée par l'effet d'ombrage des électrodes, bande passante élevée, uniquement dépendante des phénomènes de transit des porteurs.