Theoretical approaches of semiconductor interfaces and of their defects : recent developments p. 481 C. Priester DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991133 RésuméPDF (980.6 KB)Références
Transverse magnetic field effects on the resonant tunneling current p. 497 L. A. Cury, A. Celeste, B. Goutiers, J. C. Portal, D. L. Sivco et A. Y. Cho DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991102 RésuméPDF (318.1 KB)Références
Persistent photoconductivity in uniforndy and selectively silicon doped AlAs / GaAs short period superlattices p. 503 P. Jeanjean, J. Sicart, J.L. Robert, F. Mollot et R. Planel DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991134 RésuméPDF (396.1 KB)Références
Etude theorique du transPort électronique et du contrôle de charge dans Al In As/Ga In As/InP. Applications a la realisation de HEMT p. 511 P. Bourel, J. L. Thobel, K. Bellahsni, M. Pemisek et R. Fauquembergue DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991135 RésuméPDF (509.3 KB)Références
Modelisation des composants a betérostructures AlGaAs/GaAs MIS-Like-FET et DMt par la methode Monte Carlo p. 521 K. Bellahsni, J. L. Thobel, P. Bourel, R. Fauquembergue et M. Pernisek DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991136 RésuméPDF (406.5 KB)Références
Etude experimentale du -bruit de diffusion dans les MISFETS GaAs-AlGaAs p. 531 J. Gest, H. Kabbaj, G. Meriaux et J. Zimmermann DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991137 RésuméPDF (369.1 KB)Références
Integration of a resonant-tunneling structure for microwave applications p. 539 P. Mounaix, A. Fattorini, J.L. Lorriaux, M. Francois, M. Miens, J. Vanbremeerseh et D. Lippens DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991138 RésuméPDF (713.1 KB)Références
Resistance et bruit de contacts d'or evapore et pulverise sur GaSb de type p p. 551 L. Gouskov, A. Gouskov, M. Perotin, M. Vaienza, D. Rigaud, A. Sabir et H. Archidi DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991139 RésuméPDF (225.6 KB)Références
Réalisation de circuits intégrés I2L à base de transistors bipolaires a double hétérojonction GaAlAs/GaAs p. 557 J. P. Vannel, T. Camps, A. S. Ferreira, J. Tasselh, A. Cazarré, A. Marty et J. P. Bailbé DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991140 RésuméPDF (658.4 KB)Références
Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction p. 569 C. Dubon-Chevalher, F. Alexandre, E. Caquot et M. Bon DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991141 RésuméPDF (670.9 KB)Références
Photodiode à avalanche GaAs/GaAlAs a superréseau à λ = 0,8 μm; bruit et facteur d'excès de bruit p. 581 B. Orsal, R. Alabedra, S. Kibeya et D. Lippens DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991142 RésuméPDF (866.3 KB)Références
Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K p. 605 F. Pitard, E. Tournie, M. Mohou, G. Boissier, J.-L. Lazzari, A.-M. Joullie, C. Alibert, A. Joullie, E. Goarin et J. Benoit DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991143 RésuméPDF (908.6 KB)Références
Analyse de la regulation de tension, par inductance saturable, de convertisseurs continu-continu a sorties multiples (30 kHz - 200 kHz) p. 625 A. Gros, J.C. Faugières, C.L. Ramiarinjaona et J.F Rialland DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991144 RésuméPDF (632.0 KB)Références
Density inversion in the binary liquid system cyclohexane + aceto nitrile. Effects of doping and simplified models of the phenomena p. 639 B. Ravi Gopal, VC. Vani, S. Guha et E.S.R. Gopal DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991145 RésuméPDF (522.8 KB)Références
Application de la réduction systematique de schemas cinetiques au calcul de flammes landnaires etirees de premelanges airpropane p. 651 E. Djavdan, N. Darabiha, V Giovangigli et S.M. Candel DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991146 RésuméPDF (771.9 KB)Références
Detecteur optique de phase liquide dans un disjoncteur au SF6 sous pression p. 667 F Buret et A. Beroual DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991100 RésuméPDF (286.3 KB)Références