Journal de Physique III

Theoretical approaches of semiconductor interfaces and of their defects : recent developments p. 481

C. Priester

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991133

Transverse magnetic field effects on the resonant tunneling current p. 497

L. A. Cury, A. Celeste, B. Goutiers, J. C. Portal, D. L. Sivco and A. Y. Cho

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991102

Persistent photoconductivity in uniforndy and selectively silicon doped AlAs / GaAs short period superlattices p. 503

P. Jeanjean, J. Sicart, J.L. Robert, F. Mollot and R. Planel

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991134

Etude theorique du transPort électronique et du contrôle de charge dans Al In As/Ga In As/InP. Applications a la realisation de HEMT p. 511

P. Bourel, J. L. Thobel, K. Bellahsni, M. Pemisek and R. Fauquembergue

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991135

Modelisation des composants a betérostructures AlGaAs/GaAs MIS-Like-FET et DMt par la methode Monte Carlo p. 521

K. Bellahsni, J. L. Thobel, P. Bourel, R. Fauquembergue and M. Pernisek

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991136

Etude experimentale du -bruit de diffusion dans les MISFETS GaAs-AlGaAs p. 531

J. Gest, H. Kabbaj, G. Meriaux and J. Zimmermann

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991137

Integration of a resonant-tunneling structure for microwave applications p. 539

P. Mounaix, A. Fattorini, J.L. Lorriaux, M. Francois, M. Miens, J. Vanbremeerseh and D. Lippens

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991138

Resistance et bruit de contacts d'or evapore et pulverise sur GaSb de type p p. 551

L. Gouskov, A. Gouskov, M. Perotin, M. Vaienza, D. Rigaud, A. Sabir and H. Archidi

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991139

Réalisation de circuits intégrés I²L à base de transistors bipolaires a double hétérojonction GaAlAs/GaAs p. 557

J. P. Vannel, T. Camps, A. S. Ferreira, J. Tasselh, A. Cazarré, A. Marty and J. P. Bailbé

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991140

Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction p. 569

C. Dubon-Chevalher, F. Alexandre, E. Caquot and M. Bon

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991141

Photodiode à avalanche GaAs/GaAlAs a superréseau à λ = 0,8 μm; bruit et facteur d'excès de bruit p. 581

B. Orsal, R. Alabedra, S. Kibeya and D. Lippens

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991142

Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K p. 605

F. Pitard, E. Tournie, M. Mohou, G. Boissier, J.-L. Lazzari, A.-M. Joullie, C. Alibert, A. Joullie, E. Goarin and J. Benoit

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991143

Analyse de la regulation de tension, par inductance saturable, de convertisseurs continu-continu a sorties multiples (30 kHz - 200 kHz) p. 625

A. Gros, J.C. Faugières, C.L. Ramiarinjaona and J.F Rialland

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991144

Density inversion in the binary liquid system cyclohexane + aceto nitrile. Effects of doping and simplified models of the phenomena p. 639

B. Ravi Gopal, VC. Vani, S. Guha and E.S.R. Gopal

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991145

Application de la réduction systematique de schemas cinetiques au calcul de flammes landnaires etirees de premelanges airpropane p. 651

E. Djavdan, N. Darabiha, V Giovangigli and S.M. Candel

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991146

Detecteur optique de phase liquide dans un disjoncteur au SF₆ sous pression p. 667

F Buret and A. Beroual

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991100