Observation du début de la croissance du GaAs/InP par OMCVD p. 287 J. Meddeb, M. Pitaval, R. Azoulay and N. Draidia DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992127 PDF (493.6 KB)References
Dislocations as sinks for self-interstitials in gold doped silicon p. 295 B. Pichaud and G. Mariani DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992128 PDF (542.8 KB)References
Influence d'une diffusion d'or sur l'activité recombinante des joints de grains dans le silicium p. 303 M. Pasquinelli DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992129 PDF (488.9 KB)References
Effet getter dans des plaquettes de silicium multicristallin par diffusion de phosphore p. 313 I. Perichaud and S. Martinuzzi DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992130 PDF (760.0 KB)References
EBIC contrast study of the recombination mechanism at dislocations in GaAs p. 325 B. Sieber, J. L. Farvacque and P. Carton DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992131 PDF (545.8 KB)References
On the relationships between constitutive parameters of chiral materials and dimensions of chiral objects (helices) p. 337 S. Zouhdi, A. Fourrier-Lamer and F. Mariotte DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992132 PDF (209.2 KB)References
In#xa0;situ study of the titanium orientation memory effect p. 343 C. Jourdan, G. Grange and J. Gastaldi DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992133 PDF (720.6 KB)References
Nonlinear microwave response of a YBaCuO p. 355 M. R. Trunin and G. I. Leviev DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992134 PDF (904.7 KB)References
Te and Te-Se alloy crystal growth under higher gravity p. 373 L. L. Regel', A. M. Turchaninov, R. V. Parfeniev, I. I. Farbstein, N. K. Shulga, S. V. Nikitin and S. V. Yakimov DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992135 PDF (534.5 KB)References
Caractérisation électrique et optique de couches minces de WO3 et MoO3 préparées par décomposition en phase vapeur (CVD) p. 383 M. Regragui and A. Donnadieu DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992136 PDF (593.3 KB)References
Etude de monocouches par réflectométrie de rayons X blancs, influence de la dispersion anormale sur les franges de Kiessig p. 395 H. Duval and J. C. Malaurent DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992137 PDF (750.4 KB)References
Amorphisation d'une cible d'AsGa par des ions As p. 407 J. Beauvillain, A. Claverie and K. Akmoum DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992138 PDF (389.9 KB)References
Un modèle analytique monodimensionnel complet pour bobinages solénoïdaux en régime alternatif p. 415 P. F. Desesquelles and G. Terracol DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992139 PDF (813.1 KB)References
Contrôle d'une machine asynchrone par estimation robuste de la vitesse p. 439 X. Roboam, J. C. Hapiot, B. de Fornel and C. Andrieux DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992140 PDF (622.0 KB)References
Propriétés thermodynamiques et de transport des plasmas issus de la vaporisation des isolants PTFE et PE p. 455 M. Abbaoui, Z. Koalaga and A. Lefort DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992141 PDF (1.007 MB)References
Experimental study on lifetimes and current production from a GaAs electron source p. 473 R. Calabrese, V. Guidi, G. Lamanna and L. Tecchio DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1992142 PDF (388.0 KB)References
