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Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge p. 1947 Jean-Luc Autran, Frédéric Seigneur, Jacques Delmas, Carole Plossu and Bernard Balland DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993252 AbstractPDF (773.6 KB)References
Caractérisation au-dessous du seuil de doubles hétérostructures lasers GaInAsSb/GaAlAsSb émettant vers 2,37 μm p. 1963 J. L. Leclercq, P. Grunberg, G. Boissier, C. Fouillant, S. Sadik, P. Martin, J. L. Lazzari, A. M. Joullié and A. Joullié DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993254 AbstractPDF (798.5 KB)References
Analyse thermique de systèmes de chauffage localisé à basse température dans les serres agricoles : paillage radiant et tubes enterrés p. 1981 C. Monteil and M. Amouroux DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993255 AbstractPDF (2.985 MB)References
Dispersion d'ions en écoulement gazeux homogène et isotrope p. 2033 A. Djermane, J. M. Thomas and R. Barriol DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993256 AbstractPDF (445.4 KB)References
Modélisation de la section de dépôts obtenus par fusion d'une poudre métallique projetée dans un faisceau laser Nd-YAG p. 2043 F. Lemoine, D. F. Grevey, I. Vastra-Bobin and A. B. Vannes DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993257 AbstractPDF (465.1 KB)References
X-band FMR measurements: establishing of relations between the complex permeability and reflection factor of ferromagnetic amorphous conductors p. 2053 Emmanuel Saint-Christophe, René Sardos and Richard Barrue DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993258 AbstractPDF (245.2 KB)References
