Mise en évidence d'états excités dans les spectres de photoionisation du cyclohexane et du diméthyl 2-2-butane liquides p. 1203 J. Casanovas, J. P. Guelfucci and O. Caselles DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991180 AbstractPDF (275.1 KB)References
Etude de la génération de bulles dans les hydrocarbures liquides générées par les impulsio.ns de Trichel p. 1209 R. Kattan, N. Bonifaci and A. Denat DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991181 AbstractPDF (491.5 KB)References
Conduction sous champ électrique faible dans les liquides isolants. Influence de la distance inter-électrodes p. 1217 G. Touchard, S. AI Chaar, S. Watanabe and J. Borzeix DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991182 AbstractPDF (344.4 KB)References
Charges convectées par écoulements laminaires et turbulents dans des tubes de section rectangulaire p. 1225 G. Touchard, G. Dominguez and K. Madani DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991183 AbstractPDF (324.3 KB)References
Evolution de la charge électrique d'une particule heurtant une paroi solide p. 1233 G. Touchard, A. Zerghouni, S. Watanabe and J. Borzeix DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991184 AbstractPDF (355.3 KB)References
Instabilité électrohydrodynamique due à l'injection d'ions à la surface libre d'un liquide isolant p. 1243 B. Malraison and P. Atten DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991185 AbstractPDF (619.7 KB)References
Réponses transitoires de films de TiO, capteurs résistifs du gaz oxygène p. 1253 R. Jérisian, J. P. Loup and J. Gautron DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991186 AbstractPDF (607.1 KB)References
Etude par spectrométrie de masse de la phase vapeur au cours de la croissance de GaSb par la méthode aux organo-métalliques à partir du triméthylgallium (TMG) et du triméthylantimoine (TMSB) dans l'hydrogène et dans l'hélium p. 1267 A. Salesse, A. Giani, P. Grosse and G. Bougnot DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991187 AbstractPDF (699.5 KB)References
Grain boundary structure and mechanical properties of the TiAl intermetallic compound p. 1281 R. M. Imayev and G. A. Salishchev DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991188 AbstractPDF (577.9 KB)References
Caractéristiques électriques des barrières métal/AlInAs/GaInAs pour transistors à effet de champ AlInAs/GaInAs/InP p. 1289 S. Faye, J. P. Praseuth and A. Scavennec DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991189 AbstractPDF (628.8 KB)References
DX centers in AlAs and GaAs-AlAs selectively doped superlattices p. 1301 S. Ababou, J. J. Marchand, L. Mayet, G. Guillot and F. Mollot DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991190 AbstractPDF (462.8 KB)References
Evaluation de l'influence d'un procédé LOCOS sur la génération interfaciale des transistors NMOS p. 1311 R. Jérisian, J. Oualid, J. Dugas and J. M. Mirabel DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991191 AbstractPDF (697.6 KB)References
Utilisation d'une ribre optique unimodale standard en capteur polarimétrique. Application à la détection de vibrations mécaniques p. 1323 F. Pigeon, A. Mure-Ravaud, C. Veillas and H. Gagnaire DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991192 AbstractPDF (640.7 KB)References
Etude et étalonnage des déplacements d'un tube piézoélectrique utilisé dans le systeme de balayage d'un microscope à effet tunnel p. 1337 J. P. Dufour, E. Bourillot and J. P. Goudonnet DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991193 AbstractPDF (612.2 KB)References
Quantitative evaluation of the signal-to-noise ratio and of its improvement (or degradation) by digital filters p. 1349 N. Bonnet, S. Lebonvallet, H. El Hila, G. Colliot and A. Beorchia DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991194 AbstractPDF (686.7 KB)References